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等离子体刻蚀AC1500PLUS采用侧向刻蚀离子源，能够产生高能量等离子体，有效清洁产品表面，实现原子级刻蚀，同时不影响产品的粗糙度。其设计在维护与保养方面十分方便，保证了工艺的稳定性与可操作性。 |
过渡层沉积在过渡层沉积环节，设备采用直流磁控溅射技术，并结合华升自主研发的G2非平衡磁场，显著提升了靶材利用率。过渡层可灵活选择Cr、WC、Ti等材料，从而获得更优质的涂层效果。该工艺能够有效降低薄膜应力，并进一步提升涂层的结合力。 |
碳膜沉积技术设备融合了PECVD与阳极层离子源两种碳膜沉积技术，可制备含氢DLC涂层。PECVD技术沉积效率高且免维护，阳极层离子源对产品兼容性强、工艺简便。通过电磁场交互作用离化气体，涂层硬度可在1000至3000HV范围内灵活调控，实现软硬兼备，满足不同应用需求。 |
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| 型号 | AC1500PLUS |
| 涂层技术 | 阳极层离子源+PECVD技术 |
| 设备尺寸(mm) | 长2100*宽4000*高2800 |
| 腔体容积(m³) | |
| 涂层区域(mm) | |
| 可涂杆刀最大规格(mm) | |
| 装载量(D3) | |
| 工艺时间(h) |
